中 CXMT, 中 화웨이에 HBM3
sans339
2025.08.12 07:40
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中 CXMT, 中 화웨이에 HBM3 샘플 전달화웨이 HBM3 받아 AI 반도체 완성 예정HBM 시장 삼성·SK·마이크론 3강 체제CXMT 빠른 속도로 따라오며 시장 위협 중국 메모리 반도체 기업인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 개발한 스마트폰 등 모바일 기기에 주로 사용하는 저전력(Low Power) D램 'LPDDR5' 이미지. 뉴시스 [파이낸셜뉴스] 중국 반도체 기업이 고대역폭메모리(HBM)3 샘플 공급을 시작, HBM 시장에 본격 뛰어들며 메모리 업계의 긴장감이 높아지고 있다. 그간 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 3강 체제였던 HBM 분야에 중국 업체가 가세하면 시장 판도가 흔들릴 수 있다는 관측이 따른다. 특히 인공지능(AI) 반도체 핵심 부품인 HBM은 수요 폭증세가 이어지고 있어, 중국 업체의 추격 속도가 시장 지형에 직접적인 변수가 될 것으로 전망된다. ■CXMT, 화웨이에 HBM3 샘플 공급…AI칩 양산 눈앞 12일 업계에 따르면 중국 메모리 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 ‘HBM3’ 제품을 샘플 수준으로 업계에 공급하기 시작했다. 시장에서는 CXMT가 올해 말까지 고객사에 HBM3 샘플을 제공할 것으로 봤는데, 이미 중순 쯤 샘플 공급을 시작한 것이다. 특히 CXMT는 이 제품을 중국 최대 정보기술(IT) 기업 화웨이에 공급한 뒤 양산 승인을 기다리는 것으로 알려졌다. 화웨이는 CXMT로부터 HBM3 제품을 받아 인공지능(AI) 반도체를 완성할 계획이다. 화웨이는 HBM3과 함께 AI 반도체를 구성하는 그래픽처리장치(GPU)는 중국 내 팹리스(반도체 설계전문)로부터 조달할 계획이다. 앞서 화웨이는 자체 AI 반도체 ‘어센드 910C’를 공개하기도 했다. CXMT가 이번에 샘플 수준으로 업계에 공급하는 HBM3은 CXMT가 자체적으로 생산한 더블데이트레이트5(DDR5) 제품을 적용했다. CXMT DDR5 제품엔 독자적인 메모리 공정인 'G4' 기술이 적용됐다. G4 기술은 반도체 회로선폭 16㎚(1나노미터·1㎚=10억분의 1m) 공정을 적용한다. 이는 종전中 CXMT, 中 화웨이에 HBM3 샘플 전달화웨이 HBM3 받아 AI 반도체 완성 예정HBM 시장 삼성·SK·마이크론 3강 체제CXMT 빠른 속도로 따라오며 시장 위협 중국 메모리 반도체 기업인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 개발한 스마트폰 등 모바일 기기에 주로 사용하는 저전력(Low Power) D램 'LPDDR5' 이미지. 뉴시스 [파이낸셜뉴스] 중국 반도체 기업이 고대역폭메모리(HBM)3 샘플 공급을 시작, HBM 시장에 본격 뛰어들며 메모리 업계의 긴장감이 높아지고 있다. 그간 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 3강 체제였던 HBM 분야에 중국 업체가 가세하면 시장 판도가 흔들릴 수 있다는 관측이 따른다. 특히 인공지능(AI) 반도체 핵심 부품인 HBM은 수요 폭증세가 이어지고 있어, 중국 업체의 추격 속도가 시장 지형에 직접적인 변수가 될 것으로 전망된다. ■CXMT, 화웨이에 HBM3 샘플 공급…AI칩 양산 눈앞 12일 업계에 따르면 중국 메모리 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 ‘HBM3’ 제품을 샘플 수준으로 업계에 공급하기 시작했다. 시장에서는 CXMT가 올해 말까지 고객사에 HBM3 샘플을 제공할 것으로 봤는데, 이미 중순 쯤 샘플 공급을 시작한 것이다. 특히 CXMT는 이 제품을 중국 최대 정보기술(IT) 기업 화웨이에 공급한 뒤 양산 승인을 기다리는 것으로 알려졌다. 화웨이는 CXMT로부터 HBM3 제품을 받아 인공지능(AI) 반도체를 완성할 계획이다. 화웨이는 HBM3과 함께 AI 반도체를 구성하는 그래픽처리장치(GPU)는 중국 내 팹리스(반도체 설계전문)로부터 조달할 계획이다. 앞서 화웨이는 자체 AI 반도체 ‘어센드 910C’를 공개하기도 했다. CXMT가 이번에 샘플 수준으로 업계에 공급하는 HBM3은 CXMT가 자체적으로 생산한 더블데이트레이트5(DDR5) 제품을 적용했다. CXMT DDR5 제품엔 독자적인 메모리 공정인 'G4' 기술이 적용됐다. G4 기술은 반도체 회로선폭 16㎚(1나노미터·1㎚=10억분의 1m) 공정을 적용한다. 이는 종전 18㎚ 공정을 적용한 G3 대비 칩 크기를 20% 정도 줄일 수 있는 기술이다. HBM3
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